شماره: 33643
1399/02/23
آسیب وارد شده به گرافین، واکنش الکتروشیمیایی آن را افزایش می‌دهد
آسیب وارد شده به گرافین، واکنش الکتروشیمیایی آن را افزایش می‌دهد


پژوهشگران روسی در بررسی جدید خود دریافتند که آسیب‌های وارد شده به گرافین، میزان انتقال الکترون را افزایش می‌دهند و به کارایی بیشتر آن منجر می‌شوند.

 

به گزارش ایسنا و به نقل از پارالل‌استیت، پژوهشگران "موسسه فیزیک و فناوری اسکولتک"(Skoltech) در بررسی جدیدی، اثرات نقص‌های گرافین را بر انتقال الکترون مورد بررسی قرار دادند. بررسی‌ها نشان دادند که این نقص‌ها می‌توانند میزان انتقال بار الکتریکی را به میزان قابل توجهی افزایش دهند. علاوه بر این، با تغییر نوع نقص می‌توان سرعت انتقال الکترون را افزایش داد. این روش می‌تواند کارایی قابل توجهی در ابداع حسگرهای کارآمد الکتروشیمیایی و الکتروکاتالیست‌ها داشته باشد.
کربن، کاربرد گسترده‌ای در الکتروشیمی دارد. نوع جدیدی از الکترودهای مبتنی بر کربن که از گرافین ساخته شده‌اند، قابلیت زیادی در ساخت زیست‌حسگرها، فناوری فتوولتاییک و پیل‌های الکتروشیمیایی دارند.
ویژگی‌های الکتروشیمیایی گرافین، وابستگی زیادی به ساختار شیمیایی و ویژگی‌های الکترونیکی آن دارند که می‌تواند تاثیر قابل توجهی بر روند اکسایش- کاهش داشته باشد. انتقال الکترون روی سطح گرافین، با داده‌های تجربی بسیاری شبیه‌سازی شده که امکان تقویت میزان انتقال را در نقص‌های ساختاری نشان می‌دهند.
پژوهشگران در این پروژه، به بررسی انتقال الکترون روی سطح گرافینی پرداختند که نقص‌های گوناگونی دارد. همه این نقص‌ها به صورت قابل توجهی بر میزان انتقال اثر می‌گذارند.
پروفسور "سرجی کیسلنکو"(Sergey Kislenko)، از پژوهشگران این پروژه گفت: ما در محاسبات خود تلاش کردیم تا رابطه میان انتقال الکترون و تغییر در ویژگی‌های الکترونیکی گرافین که در اثر آسیب‌ها و نقص‌ها ایجاد شده‌اند، نشان دهیم. نتایج این بررسی نشان داد نقص‌های ورقه گرافین می‌توانند به افزایش تراکم الکترون منتقل شده، کمک کنند.
وی افزود: ما همچنین دریافتیم که نوع نقص وارد شده به ورقه، بر میزان انرژی قابل انتقال اثر می‌گذارد. ما باور داریم که این اثرات می‌توانند بر افزایش کاربردهای حسگرهای الکتروشیمیایی موثر باشند و به طراحی مواد جدیدی برای کاربردهای الکتروشیمیایی کمک کنند.
این پژوهش‌، در مجله "Electrochimica Acta" به چاپ رسید.



منبع:
 ایسنا


حق انتشار محفوظ است ©